Transistor Mosfet IRF5210
$2,500.00Mosfet HEXFET de Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A. Empaque TO-220. ESPECIFICACIONES TECNICAS: Continuous Drain Current, VGS @ 10V: -40A máximo Drain-to-Source Breakdown Voltage: -100V máximo Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C Encapsulado: TO220 Referencia de producto: IRF5210